芯片资讯
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2024-10
高通向欧盟做出让步,380亿美元收购NXP有望获批
高通向欧盟做出让步,380亿美元收购NXP有望获批 欧盟委员会今日表示,针对380亿美元收购恩智浦半导体公司(NXP Semiconductors)交易,高通公司已经做出让步。 高通去年10月宣布,将以380亿美元收购恩智浦半导体公司。这将是全球半导体市场最大一笔并购交易。今年6月9日,欧盟对这笔交易展开全面调查,主要担心该交易将导致芯片价格上涨,削弱半导体行业的创新能力。 今日,据欧盟委员会在官方网站上称,高通已于10月5日提交了建议书,对收购条款作出了让步,但并未透露详细的信息。 在审查这
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2024-10
Intel公布了三季度财报,10nm年底之前推出
上周,Intel公布了三季度财报,公司率先营收和利润双增长,超过华尔街预期,其中,以数据中心为代表的企业级业务是此次 亮眼成绩的主力功臣。报告显示,英特尔第三季度营收为161亿美元,与去年同期的158亿美元相比增长2%;净利润为45亿美元, 与去年同期的34亿美元相比增长34%。 在财报会议上,Intel CEO Brian Krzanich(科再奇)强调,10nm首批芯片将按照原定步伐推出,也就是今年底之前。但他透 露,数量并不多,属于早期的量产阶段。 同时,大规模量产和OEM客户采用应该是
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2024-10
2018硅晶圆缺货问题仍无法舒缓 厂商营运亮丽可期
半导体硅晶圆缺货情况持续不断,半导体业界普遍认为,明年缺货问题仍将无法舒缓,硅晶圆厂营运亮丽可期。 随着移动设备、汽车、人工智能、高效能运算等应用高度成长,全球硅晶圆出货不断扩增,据国际半导体产业协会(SEMI)统计,第3季出货总面积达29.97亿平方英寸,连续6季改写历史新高纪录。 只是需求强劲成长的同时,硅晶圆厂在经历过去长期不景气,多谨慎扩产,使得今年来硅晶圆市场一直处于供不应求状态,产品价格不断高涨。 半导体硅晶圆厂今年来受惠市场缺货,产品价格调涨,营运同步大幅成长;合晶前3季每股纯益
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2024-10
内存价格持续维持高位:至少到明年一季度
近一年多来,内存价格持续高涨,虽然这一段时间暂时有所平稳,涨价的势头似乎被遏制住了,但想降价的话短期内还是个梦。据博板堂统计,2017年10月份中国区TOP11内存品牌总出货量又下滑了10%左右,连续两个月倒退。 作为内存行业老大,金士顿缺货问题非常严重,实际出货时间只有半个月左右,整体工厂出货量创下历史新低,当月还不到50万。 其他品牌更不好混,第二名的威刚甚至还不到30万,和第三名的金泰克基本差不多了。 不过芝奇、英睿达、十铨等品牌因为以电商渠道为主,情况还好一些,出货量有所增长。 由于近
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2024-10
苹果三星下滑与国产手机崛起,正引发全球手机供应链大换挡
进入2017年以来,在中国股市大环境并不理想的情况下,中国集成电路IC概念股却迎来的一波牛市行情。这其中又最具有代表性的是手机产业链感念股,包括京东方、欧菲光、比亚迪、舜宇光学等在股价上都实现了超翻倍行情,而汇顶科技也成长为全球指纹芯片龙头,并获得了国家队“大基金”的入股。 如果看背后更深层次原因,本质还是在苹果、三星增长乏力,甚至在重要的中国市场大幅下滑,与“华米OV”为代表的国产手机厂商的强势崛起,形成鲜明对比。同步也引发了全球手机供应链,向中国手机供应链厂商的大迁移、大换挡的序幕。 苹果
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2024-10
EVAL-2QR0665G-28W16V开关电源功能分析
EVAL-2QR0665G-28W16V是一个典型反激式开关电源,PWM控制电路模块与MOS集成为芯片ICE2QR0665G(在板子背面)实现降压输出。 如图1所示的原理图中,85V-265V交流电经保护电路(F1和VAR组成)电磁干扰滤波(C1和L1)经整流桥输出脉动直流电压,此电压给C6充电,当电容C6的电压达到ICE2QR0665G启动电压门槛值时,ICE2QR0665G开始工作并提供驱动脉冲驱动MOS开关,当塌工作后,工作电压由反馈绕组提供,稳压二极管ZD1起到限制ICE2QR0665
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2024-10
电容式液位计的补偿方法介绍
电容式液位计应用的最初成果是飞机油箱内油量的测定,它具有准确度较高(通常基本误差为±2.5%~±0.5%,特殊精心制作时可达±0.1%)、结构简单、可靠、安装方便等优点。目前,它已经成为生产过程测量和控制领域中应用广泛的物位计之一。在生产过程中,仪表使用的环境条件及工作介质的压力、温度、成分、含水量等工艺变量的随机变化最终以被测介质介电常数变化的形式呈现出来。它将直接影响检测元件的输出信号,最终影响测量的准确性。一旦它们的影响不可忽略,必须采用补偿方法。 补偿方法有很多,我们可以根据被测介质介
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2024-10
两大新技术加持 三星二代10纳米DRAM量产抢商机
抢攻DRAM市场商机,三星电子(Samsung Electronics)宣布量产其第二代10奈米等级(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 该组件采用高敏感度的单元数据感测系统(Cell Data Sensing System)及「空气间隔」(Air Spacer)解决方案,以达更高效能、更低功耗,以及更小的体积。 DRAM市场表现强劲,IC Insights预估,2017年DRAM市场将激增74%,为1994年以来最大增幅;未来DRAM预计将成为至今半导体产业内最大的单一产品类别,产值
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2024-10
DRAM市况热 威刚去年营收年增38.8% 近4年新高
存储器模组大厂威昨(8)日公布去年12月合并营收25.52亿元(新台币,下同),月减13.3%,年增12.65%,第4季合并营收82.28亿元,季增0.84%,为全年单季高点,累计去年全年合并营收322.25亿元,年增38.8%,创近4年来新高。 威刚营收亮眼,主要是受惠去年全年DRAM及NAND Flash价格维持稳健涨势,光是DRAM产品营收就较前年成长近1倍。 威刚指出,去年第4季DRAM营收贡献比重为55.28%,存储卡、随身碟、固态硬盘(SSD)及外接式硬盘等非DRAM产品营收贡献比
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2024-10
自愈式电容器受欢迎的原因
自愈式电容器更换的步骤第一步:切断无功补偿柜的开关,停止无功补偿柜的使用当自愈式电容器需要更换时,应该先断开无功补偿柜的开关。因为更换自愈式电容器需要将损坏的电容器拆除,断开无功补偿柜的开关可以避免出现安全事故。而且在断开无功补偿柜的开关之后,需要使用验电器检查无功补偿柜,确保维护人员的安全。第二步:对自愈式电容器进行放电在断开无功补偿柜的开关之后,自愈式电容器本身仍然带电,所以维护人员在进行工作前,就需要对自愈式电容器进行放电。现在市面上的电力电容器会带有放电电阻,在断开电源的三到五分钟之内
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2024-10
Intel发布2017年Q4及全年财报:数据中心引领增长
北京时间1月26日早间消息,巨头Intel发布2017年第四季度(截止12月30日)和全年财报。 报告显示,公司该季营收为170.53亿美元,去年同期为163.74亿美元,同比增长4%。 按美国通用会计准则计算(GAAP),扣除54亿美元的所得税支出后,净亏损为6.87亿美元,去年同期为净利润35.62亿美元。 这次的所得税支出计入是来自美国实施企业税改产生的,如果按照非美国通用会计准则,净利润为51.81亿美元,较上年同期的38.65亿美元增长34%。 由于数据超预期,Intel股价在盘后上
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2024-10
常见通信RF指标的内在和意义
动态范围,温度补偿与功率控制 动态范围,温度补偿和功率控制很多情况下是“看不到”的指标,只有在进行某些极限测试的时候才会表现出它们的影响,但是本身它们却体现着RF设计中最精巧的部分。 “重剑无锋,大巧不工。” ——独孤求败。 发 射机动态范围 发射机动态范围表征的是发射机“不损害其他发射指标前提下”的最大发射功率和最小发射功率。 “不损害其他发射指标”显得很宽泛,如果看主要影响,可以理解为:最大发射功率下不损害发射机线性度,最小发射功率下保持输出信号信噪比。 最大发射功率下,发射机输出往往逼近