TGF3020-SM

图像仅供参考
请参阅产品规格

编号：

772-TGF3020-SM

制造商编号：

TGF3020-SM

制造商：

Qorvo

客户编号:

说明：

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN

数据表:

TGF3020-SM 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Qorvo TGF3020-SM详情

对比产品 查看对比 (0)

对比产品

添加至项目 | 添加注释：

库存量: 528

库存：

528 可立即发货

× 限制装运

20 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。

最少： 1   倍数： 1

输入数量：

购买

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

数量 单价

总价

× 包装选择

取决于您的订购数量，有些选项可能不可用。

剪切带

产品从完整卷轴带切割成定制数量。

eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）

按照客户指定的数量切割产品卷轴。 所有 eel 订单均不可撤消和退回。

完整卷轴

订购数量必须与制造商的完整卷轴数量相符。 若要购买整个卷轴，请按?的倍数订购。

卷轴和剪切带

以完整卷轴和剪切带的组合订购产品。

卷轴和eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）

以整个卷轴和 eel™ 的组合方式订购产品。

特色产品

QORVO

查看来自Qorvo的所有新品速递

规格

找到的产品: 显示类似项

要显示类似产品， 电子元器件采购网 至少选中一个复选框

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

显示类似项 已选择的属性: 0

工厂包装数量 ×

工厂包装数量 - 工厂通常发货的包装大小（注意：制造商可能会更改包装大小而不另行通知）。

以“工厂包装数量”的倍数订购对于我们的批量生产客户来说最有效。

在大部分情况下，非常乐意拆分“工厂包装数量”。 （请参见最低订货量和倍数以确认订购要求）

文件

文件 (4)

文件 (4)

筛选文档:

选择文档类型 数据表 (1) PCN (3)

数据表

TGF3020-SM 数据表 (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF) Product Change Notification (PDF) Product Change Notification (PDF)

显示所有

显示更少

此功能要求启用JavaScript。

产品合规性

CNHTS: 8541290000 CAHTS: 8541290000 USHTS: 8541290095 JPHTS: 8542330996 KRHTS: 8532331000 TARIC: 8541290000 MXHTS: 8542330201 ECCN: EAR99

更多信息

QPD GaN射频晶体管

Qorvo QPD GaN射频晶体管可用于Doherty架构，适用于宏蜂窝高效率系统的基站功率放大器的最后一级。这些GaN晶体管是分立式碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，设有单级匹配功率放大器晶体管。典型应用包括W-CDMA/LTE、宏蜂窝基站、有源天线和通用应用。

客户还购买了

图像 制造商零件编号 描述 库存

快速查看

库存: 5,201