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  格芯今日宣布推出其具有7纳米领先性能的(7LP)FinFET半导体技术，其40%的跨越式性能提升将满足诸如高端移动处理器、云服务器和网络基础设施等应用的需求。设计套件现已就绪，基于7LP技术的第一批客户产品预计于2018年上半年推出，并将于2018年下半年实现量产。   2016年9月，格芯曾宣布将充分利用其在高性能芯片制造中无可比拟的技术积淀，来研发自己7纳米FinFET技术的计划。由于晶体管和工艺水平的进一步改进，7LP技术的表现远优于最初的性能目标。与先前基于14纳米FinFET技术

  全球领先的200mm纯晶圆代工厂——华虹半导体有限公司(“华虹半导体”或“公司”，连同其附属公司，统称“集团”，股份代号：1347.HK)今天宣佈，公司针对8位微控制器(Microcontroller Unit, MCU)市场，最新推出95纳米单绝缘栅非易失性嵌入式存储器(95纳米5V SG eNVM)工艺平台。在保证产品稳定性能的同时，95纳米5V SG eNVM工艺平台以其低功耗、低成本的优势，广受客户青睐。该平台现已成功量产，产品性能优异。   万物互联时代，8位MCU不断推陈出新，

  KLA-Tencor公司今天针对7奈米以下的逻辑和尖端记忆体设计节点推出了五款显影成型控制系统，以帮助晶片製造商实现多重曝光技术和EUV微影所需的严格製程公差。在IC製造厂内，ATL?叠对量测系统和SpectraFilm?F1薄膜量测系统可以针对finFET、DRAM、3D NAND和其他复杂元件结构的製造提供製程表徵分析和偏移监控。 Teron?640e光罩检测产品系列和LMS IPRO7光罩叠对位準量测系统可以协助光罩厂开发和鑑定EUV和先进的光学光罩。 5DAnalyzer?X1高级

Maxim宣布推出DS28E38 DeepCover安全认证器，借助这一防物理攻击方案，设计者能够以低成本轻松获取主动保护方案，可靠地保护其知识产权和产品。 网络攻击不断占据新闻头条，物联网(IoT)设备已经成为遭受攻击的薄弱环节— 根据美国投资咨询机构Cybersecurity Ventures的数据，到2021年全球网络犯罪造成的损失将达到6万亿美元。然而，设计安全性仍然作为亡羊补牢之举，许多工程师认为安全保护方案的实施非常昂贵、困难、耗时，于是留给软件进行系统保护。此外，一些使用安全IC

华虹半导体有限公司今天宣布其第二代90纳米嵌入式闪存 (90nm G2 eFlash) 工艺平台已成功实现量产，技术实力和竞争力再度加强。 华虹半导体在第一代90纳米嵌入式闪存 (90nm G1 eFlash) 工艺技术积累的基础上，于90nm G2 eFlash工艺平台实现了多方面的技术提升。90nm G2微缩了Flash的元胞尺寸，较第一代减小约25%，为目前全球晶圆代工厂90纳米工艺节点嵌入式闪存技术的最小尺寸。此外，90nm G2采用了新的Flash IP设计架构，在保证高可靠性 (即