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高手总结的单片机学习的过程根本上可分四个阶段： 第一阶段 是先阅读教科书里的硬件局部，大至理解单片机的硬件构造。如ROM、RAM、地址、I／O口等，以及看一些厂家的MCU材料（Data Sheet），来增强MCU所提供各项资源的印象。 第二阶段 就是理解二进位数字、十六进位数和软件方面的内容。虽然有很多高级言语可用于单片机的编程，但我觉得初学还是以汇编言语为好，更有利于和硬件分离，控制硬件构造。晓得汇编言语、机器言语、 指令、 程序等概念后，就从MOV指令开端，学习汇编言语和编程，在此如51的

电路和电容器 首先讲一下电路和电容器。 电路是道路，电荷是车。 如果将一个电路比作马路的话，电荷的移动就好像车流一样。 阻抗是崎岖的道路 道路凹凸不平的情况下，车的行驶速度虽然会减慢但还是会向目的地前进。在电路中，阻抗会产生热并发生能耗(焦耳电)。 电源(电池)是负载着电位差的装置 电源是在两端连接负载着E[V]电位差的装置。这与汽车利用电梯，自动地向高为t[m]的位置移动是一个道理。 电容器是什么? 接着就来说一说当电源装上电容器后的情况。 电容器是停车场 电容器能够储蓄电荷。将电路比作成道

对于MOSFET而言，米勒效应（MillerEffect）指其输入输出之间的分布电容（栅漏电容）在MOSFET开关过程中，会使驱动信号形成平台电压，引起开关时间变长，进而导致开关损耗增加，给MOS管的正常工作带来非常不利的影响。 本文将以网上了解到的相关资料为基础并结合自己的理解，分析MOS管开通过程以及米勒平台的形成。首先我们先看一下MOSFET的结构简化图： 图一MOSFET的结构简图 通过图一可知：N沟道增强型MOS管以一块低掺杂的P型硅片为衬底，利用扩散工艺制作两个高掺杂的N+区，并引

肖特基二极管以发明人肖特基博士（Schottky）命名。 （Schottky Barrier Diode）是肖特基势垒二极管的缩写。 不同于一般二极管的P半导体和N半导体接触形成，肖特基二极管是利用金属和半导体接触形成。 肖特基的两个主要特点，一个是正向导通压降比较低，一般在0.15~0.5V之间，导通压降低可以提高系统的效率。 另一个特点是反向恢复时间短，一般在几个纳秒。 所以肖特基二极管一般用作高频、大电流整流、低压、续流二极管、保护二极管等。 二极管从正向导通到反向截止有一个反向恢复的过

电子电路中的运算放大器，有同相输入端和反相输入端，输入端的极性和输出端是同一极性的就是同相放大器，而输入端的极性和输出端相反极性的则称为反相放大器。 反相放大器 图一运放的同向端接地=0V，反向端和同向端虚短，所以也是0V，反向输入端输入电阻很高，虚断，几乎没有电流注入和流出，那么R1和R2相当于是串联的，流过一个串联电路中的每一只组件的电流是相同的，即流过R1的电流和流过R2的电流是相同的。 流过R1的电流：I1=（Vi-V-）/R1………a 流过R2的电流：I2=（V--Vout）/R2…

ic电子外贸网站带大家雪崩二极管的噪音产生过程。 当igbt在高性能应用中高速接通和断开时，总会发生过压。例如，当关闭负载电流电路时，集电极 - 发射极电压突然上升，达到非常高的峰值。由开关引起的过电压会严重损坏甚至破坏开关晶体管。 常见的过电压保护方法是“有源钳位（active clamPIng）”。在这种情况下，雪崩二极管用作直接反馈。如果关断导致电感负载过压峰值，则由雪崩二极管传导至IGBT栅极，并且IGBT重新接通。 上图显示了基本原理：当电压上升时，二极管被阻断（A）。在耗尽区中，一

极性元件在整个PCBA加工过程中需要特别注意，因为方向性的元件错误会导致批量性事故和整块PCBA板的失效，因此工程及生产人员了解SMT极性元件极为重要。 一、极性定义 极性是指元器件的正负极或第一引脚与PCB(印刷电路板)上的正负极或第一引脚在同一个方向，如果元器件与PCB上的方向不匹配时,称为反向不良。 二、极性识别方法1、片式电阻（Resistor）无极性 2、电容（Capacitor）2.1 陶瓷电容无极性 ▲ 图2.2.1 陶瓷电容（无极性） 2.2 钽电容有极性 PCB板和器件正极标