整流二极管管的反向恢复过程
2024-11-12首先，二极管具有从正向导通到截止的反向恢复过程 将下图所示的输入电压添加到上图所示的硅二极管电路中。在0-t1期间，输入为+VF，二极管导通，电流在电路中流动。 让VD为二极管的正向压降(硅管约为0.7V)。当心室颤动比心室颤动大得多时，心室颤动可以省略 在t1，V1突然从+VF变为-VR。在理想情况下，二极管将立即关闭，电路中应该只有很小的反向电流。然而，实际情况是二极管不会立即截止，而是首先从正向中频变为大反向电流IR = VR/rl。该电流在保持一段时间tS后开始逐渐减小，然后在tt后减
桥式整流电路图和电流反向
2024-10-12桥式整流电路是使用最多的一种整流电路。这种电路，只要增加两只二极管口连接成桥式结构，便具有全波整流电路的优点，而同时在一定程度上克服了它的缺点。 图 (a)为桥式整流电路图，(b)图为其简化画法。 桥式整流的电流方向 在u2的正半周，D1、D3导通，D2、D4截止，电流由TR次级上端经D1→ RL →D3回到TR 次级下端，在负载RL上得到一半波整流电压 在u2的负半周，D1、D3截止，D2、D4导通，电流由Tr次级的下端经D2→ RL →D4 回到Tr次级上端，在负载RL 上得到另一半波整流
肖特基二极管的反向恢复过程解析
2024-09-27肖特基二极管以发明人肖特基博士（Schottky）命名。 （Schottky Barrier Diode）是肖特基势垒二极管的缩写。 不同于一般二极管的P半导体和N半导体接触形成，肖特基二极管是利用金属和半导体接触形成。 肖特基的两个主要特点，一个是正向导通压降比较低，一般在0.15~0.5V之间，导通压降低可以提高系统的效率。 另一个特点是反向恢复时间短，一般在几个纳秒。 所以肖特基二极管一般用作高频、大电流整流、低压、续流二极管、保护二极管等。 二极管从正向导通到反向截止有一个反向恢复的过
开关电容电压反相器MAX828的关键特性和应用范围
2024-09-25超小型MAX828/MAX829单片，CMOS电荷泵逆变器接受输入电压范围为1.5V+至+5.5V。该MAX828工作在12kHz的，和MAX829在35kHz的工作。它们的高效率（在大部分负载电流范围的大于90％）和低工作电流（60μA的MAX828），使这些器件非常适合于电池供电和板级电压转换应用。 该MAX828/MAX829结合低静态电流和高效率。振荡器控制电路和四个功率MOSFET开关被包括在芯片上。应用包括产生从+5V逻辑供应功率模拟电路一个-5V电源。两个部分来在5引脚SOT23
反相放大器和同相放大器的过程和区别及选择方式概述
2024-09-23电子电路中的运算放大器，有同相输入端和反相输入端，输入端的极性和输出端是同一极性的就是同相放大器，而输入端的极性和输出端相反极性的则称为反相放大器。 反相放大器 图一运放的同向端接地=0V，反向端和同向端虚短，所以也是0V，反向输入端输入电阻很高，虚断，几乎没有电流注入和流出，那么R1和R2相当于是串联的，流过一个串联电路中的每一只组件的电流是相同的，即流过R1的电流和流过R2的电流是相同的。 流过R1的电流：I1=（Vi-V-）/R1………a 流过R2的电流：I2=（V--Vout）/R2…
二极管的反向恢复及碳化硅二极管
2024-09-11一、二极管的反向恢复时间 ①举例理解 如上图，在二极管正极输入正负脉冲方波信号，理想二极管输出应该是高电平和低电平，但实际上二极管有一个反向恢复时间trr。 如上图，在电压从正向突然变成负向的瞬间，二极管会产生一个很大的反向电流，并且会维持一定的时间，之后反向电流会慢慢降低到漏电流，这时二极管才进入反向截止状态。 反向电流比较大的那段时间ts叫保持时间。缓慢衰减到漏电流的时间tt叫下降时间。ts+tt=trr，叫反向恢复时间。 ②反向恢复时间产生的原因 因为二极管是半导体器件，它是由一对PN结
二极管可以减少反向电流吗?
2024-09-10对于二极管来说，单向导电性并不重要，因为无论何种类型的二极管，其工作频率都有上限，一旦超过这个上限，它就会完全丧失单向导电性，这等于导线，因为它的结电容在频率很高时几乎为零，此时二极管就完全失去了其作用。 只要二极管有一个结容，就必然会影响反向恢复时间和反向电流，我们不希望看到反向电流，而且反向电流太大也会把二极管击穿！ 所以，我们可以控制并减少反向电流吗？回答是肯定的！ 可采取哪些具体措施？一个简单的方法就是将二极管再并联成一个电容！ 实际上，C5的主要作用就是吸收过高的反向电压，即当二极管
台积电5纳米制程反响热烈 各大芯片厂商疯狂给单
2024-07-2210月30日，据报道，TSMC总裁魏哲家近日提到，TSMC的5纳米工艺已经进入风险试产阶段，并取得了良好的产量表现。加上主要客户的热情响应，预计未来产能将达到8万件。同时，TSMC的5纳米工艺将增加一层极紫外(EUV)掩膜层，并将按原计划在2020年上半年进入量产。魏哲家指出，与目前大规模生产的7纳米工艺相比，5纳米芯片的密度可以提高80%，计算速度可以提高20%。苹果公司今年下半年推出的苹果手机11系列A13处理器采用了TSMC的7纳米极紫外(EUV)光刻工艺。消息人士指出，苹果明年的苹果1
什么是芯片反向设计？
2024-01-30芯片逆向设计 什么是芯片反向设计？反向设计其实就是芯片反向设计，它是通过对芯片内部电路的提取与分析、整理，实现对芯片技术原理、设计思路、工艺制造、结构机制等方面的深入洞悉，可用来验证设计框架或者分析信息流在技术上的问题，也可以助力新的芯片设计或者产品设计方案。 芯片逆向 芯片反向工程的意义：现代IC产业的市场竞争十分激烈，所有产品都是日新月异，使得各IC设计公司必须不断研发新产品，维持自身企业的竞争力。IC设计公司常常要根据市场需求进入一个全然陌生的应用和技术领域，这是一件高风险的投资行为。并
为什么反向设计值得研究呢？
2024-01-10芯片解密又称为单片机解密 (IC 解密 ) ，由于正式产品中的单片机芯片都加密了，直接使用编程器是不能读出程序的。芯片解密就是通过一定的设备和方法，直接得到加密了的单片机中的烧写文件，可以自己复制烧写芯片或反汇编后自己参考研究。那么为什么反向设计值得研究呢？ 芯片逆向 1，快速复制某芯片，做到pin-to-pin的替换，主要用于一些规模较小的数字电路，或者模拟电路。这个行业的流程已经非常标准化了，腐蚀芯片，拍照，提取版图，分析电路，仿真，流片。其中，腐蚀、拍照、提版等三个环节都有相应的软件和工