压力传感器是能体会工作压力数据信号，并能依照一定的规律性将工作压力数据信号转化成能用的輸出的电子信号的元器件或设备。一切一种商品都经历了生长发育，成才，发展壮大完善这些好多个全过程，让欧利德仪表盘给您详解下压力传感器的演化发展史四在全过程！

    1创造发明阶段(1945-1960年):这一阶段主要是以1947年双旋光性三极管的创造发明为标示。自此，半导体器件的这一特点获得较广泛运用。阿诗丹顿(C.S.Smith与1945发觉了硅与锗的压阻效用，即当有外力于半导体器件时，其电阻器将显著产生变化。根据此基本原理做成的压力传感器是把应变力电阻器片粘在金属材料塑料薄膜上，将要力数据信号转换为电子信号开展精确测量。此阶段最少规格大概为一厘米

    2技术发展趋势阶段(1960-1972年):伴随着硅扩散技术的发展趋势，技术工作人员在硅的001或(110晶向挑选适合的晶向立即把应变力电阻器扩散在晶向上，随后在反面加工成凹型，产生较薄的硅延展性脉冲阻尼器，称之为硅杯[3]这类方式的硅杯控制器具备体型小、重量较轻、敏感度高、可靠性好、低成本、有利于一体化的优势，FH(风华高科)贴片电容器一站式采购平台 完成了金属材料-硅共结晶，为产品化发展趋势出示了将会。

    3产品化集成化加工阶段(1970-1981年):硅杯扩散基础理论的基本上运用了硅的各种各样的浸蚀技术，扩散硅控制器其加工加工工艺以硅的各项异性浸蚀技术主导，发展趋势变成能够自动控制系统硅膜薄厚的硅各种各样加工技术，关键有V形槽法、浓硼全自动中断法、阳极氧化处理法全自动中断法和微型机操纵全自动中断法。因为能够在好几个表层另外开展浸蚀，数千个硅工作压力膜能够另外生产制造，完成了一体化的加工厂加工方式，成本费进一步减少。

    4微机械设备加工阶段(1981年-今):上十世纪出現的纳米技术技术，促使微机械设备加工加工工艺变成将会。

    根据微机械设备加工加工工艺能够由计算机系统控制加工出结构性的压力传感器，其线度能够操纵在μm级范畴内。运用这一技术能够加工、蚀刻工艺μm级的沟、条、膜，促使压力传感器进入了μm阶段。

• 传感器
• 发展
• 研华
• 全过程
• 压力