1 月 8 日，存储巨头美光（Micron）正式官宣，其位于美国纽约州奥农达加县克莱镇的大型 DRAM 内存晶圆厂集群，将于当地时间 2026 年 1 月 16 日正式动工。这一酝酿多年的超级项目，以1000 亿美元（约合 7002.6 亿元人民币） 的总投资规模，创下纽约州有史以来最大单笔私人投资纪录。

作为美光 20 年长期布局的核心载体，该晶圆厂集群规划建设四座工厂，完工后将成为全球技术最先进的内存制造基地。项目将搭载美光领先的 1-gamma 等先进制程，不仅聚焦 DRAM 内存生产， 亿配芯城 还将为高带宽内存等关键产品提供产能支撑，适配各类终端与服务器存储需求。

此次动工得到美国政府大力支持，已获得超 60 亿美元 CHIPS 法案资金扶持，项目全部建成后预计将创造 9000 个就业岗位，助力美国提升先进内存制造全球份额。在全球存储行业迎来发展机遇的背景下，这一超级工厂的落地，将进一步影响全球内存供应链格局。

亿配芯城（ICgoodFind): 美光超级晶圆厂动工将加剧存储产业竞争，我们将助力产业链对接优质资源，应对市场变化。

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