芯片产品
- 发布日期：2024-01-10 16:49 点击次数：74
TGF3020-SM
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编号：
772-TGF3020-SM
制造商编号：
TGF3020-SM
制造商：
Qorvo
Qorvo
客户编号:
说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
数据表:
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¥-.--
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总价
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剪切带
产品从完整卷轴带切割成定制数量。
eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）
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完整卷轴
订购数量必须与制造商的完整卷轴数量相符。 若要购买整个卷轴，请按?的倍数订购。
卷轴和剪切带
以完整卷轴和剪切带的组合订购产品。
卷轴和eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）
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规格
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产品属性 属性值 选择属性 制造商: Qorvo 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管极性: - 技术: GaN SiC Id-连续漏极电流: 250 mA Vds-漏源极击穿电压: 32 V Rds On-漏源导通电阻: - 工作频率: 4 GHz to 6 GHz 增益: 13 dB 输出功率: 5 W 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: QFN-16 封装: Tray 商标: Qorvo 湿度敏感性: Yes 产品类型: RF MOSFET Transistors 系列: TGF3020 工厂包装数量: 工厂包装数量: 20 子类别: MOSFETs 零件号别名: TGF3020 1121726
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产品合规性
CNHTS: 8541290000 CAHTS: 8541290000 USHTS: 8541290095 JPHTS: 8542330996 KRHTS: 8532331000 TARIC: 8541290000 MXHTS: 8542330201 ECCN: EAR99
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QPD GaN射频晶体管
Qorvo QPD GaN射频晶体管可用于Doherty架构，适用于宏蜂窝高效率系统的基站功率放大器的最后一级。这些GaN晶体管是分立式碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，设有单级匹配功率放大器晶体管。典型应用包括W-CDMA/LTE、宏蜂窝基站、有源天线和通用应用。
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