SiC功率器件全因这一点而深受热捧
2024-08-24功率器材职业发展到IGBT(绝缘层栅双极晶体三极管)阶段，硅基器材的功能早已贴近极限，边际效益愈来愈高，而半导体材料器材工业链仍对大功率、高频率转化、高温实际操作、高功率等具有愈来愈多的要求，因而以SiC(碳碳复合材料)、GaN(氮化镓)等第三代半导体器材为要害的宽禁带功率器材变成了科学研究网络热点与新发展前景，并逐渐进到运用批量出产环节。 SiC功率器材功能长处 SiC功率半导体的发展趋势改善了输出功率电源开关器材的硬电源开关特色，抗压能够到达数十万伏，耐高温能够到达500℃之上。 功能长处