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一、二极管的反向恢复时间 ①举例理解 如上图,在二极管正极输入正负脉冲方波信号,理想二极管输出应该是高电平和低电平,但实际上二极管有一个反向恢复时间trr。 如上图,在电压从正向突然变成负向的瞬间,二极管会产生一个很大的反向电流,并且会维持一定的时间,之后反向电流会慢慢降低到漏电流,这时二极管才进入反向截止状态。 反向电流比较大的那段时间ts叫保持时间。缓慢衰减到漏电流的时间tt叫下降时间。ts+tt=trr,叫反向恢复时间。 ②反向恢复时间产生的原因 因为二极管是半导体器件,它是由一对PN结
对于二极管来说,单向导电性并不重要,因为无论何种类型的二极管,其工作频率都有上限,一旦超过这个上限,它就会完全丧失单向导电性,这等于导线,因为它的结电容在频率很高时几乎为零,此时二极管就完全失去了其作用。 只要二极管有一个结容,就必然会影响反向恢复时间和反向电流,我们不希望看到反向电流,而且反向电流太大也会把二极管击穿! 所以,我们可以控制并减少反向电流吗?回答是肯定的! 可采取哪些具体措施?一个简单的方法就是将二极管再并联成一个电容! 实际上,C5的主要作用就是吸收过高的反向电压,即当二极管
10月30日,据报道,TSMC总裁魏哲家近日提到,TSMC的5纳米工艺已经进入风险试产阶段,并取得了良好的产量表现。加上主要客户的热情响应,预计未来产能将达到8万件。同时,TSMC的5纳米工艺将增加一层极紫外(EUV)掩膜层,并将按原计划在2020年上半年进入量产。魏哲家指出,与目前大规模生产的7纳米工艺相比,5纳米芯片的密度可以提高80%,计算速度可以提高20%。苹果公司今年下半年推出的苹果手机11系列A13处理器采用了TSMC的7纳米极紫外(EUV)光刻工艺。消息人士指出,苹果明年的苹果1
芯片逆向设计 什么是芯片反向设计?反向设计其实就是芯片反向设计,它是通过对芯片内部电路的提取与分析、整理,实现对芯片技术原理、设计思路、工艺制造、结构机制等方面的深入洞悉,可用来验证设计框架或者分析信息流在技术上的问题,也可以助力新的芯片设计或者产品设计方案。 芯片逆向 芯片反向工程的意义:现代IC产业的市场竞争十分激烈,所有产品都是日新月异,使得各IC设计公司必须不断研发新产品,维持自身企业的竞争力。IC设计公司常常要根据市场需求进入一个全然陌生的应用和技术领域,这是一件高风险的投资行为。并
芯片解密又称为单片机解密 (IC 解密 ) ,由于正式产品中的单片机芯片都加密了,直接使用编程器是不能读出程序的。芯片解密就是通过一定的设备和方法,直接得到加密了的单片机中的烧写文件,可以自己复制烧写芯片或反汇编后自己参考研究。那么为什么反向设计值得研究呢? 芯片逆向 1,快速复制某芯片,做到pin-to-pin的替换,主要用于一些规模较小的数字电路,或者模拟电路。这个行业的流程已经非常标准化了,腐蚀芯片,拍照,提取版图,分析电路,仿真,流片。其中,腐蚀、拍照、提版等三个环节都有相应的软件和工
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